На основе инновационной технологии CoolSiC™ MOSFET компания Infineon производит семейство полевых транзисторов для использования в цепях высокого напряжения с большими рабочими токами. В сравнении с силовыми кремниевыми IGBT и полевыми MOSFET транзисторами, силовые MOSFET транзисторы из семейства CoolSiC, выполненные на основе карбида кремния (SiC), имеют ряд преимуществ.
Технология MOSFET CoolSiC позволяет создавать более эффективные и надежные полупроводниковые приборы, обеспечивающие разработчикам электронного оборудования более простые и гибкие решения.
CoolSiC™ MOSFET обеспечивает: низкие уровни заряда затвора при пониженной емкости в структурах коммутатора SiC, отсутствие потерь на обратное восстановление диода, малые, независимые от температуры потери при переключении.
Технология MOSFET CoolSiC от Infineon обеспечивает повышенную надежность затвора, наименьшие в своем классе потери на переключение и минимальную проводимость, а также наиболее крутую характеристику усиления и устойчивость к короткому замыканию. Повышенная эффективность при большой частоте коммутации позволяет уменьшать габариты конструкции, повышая показатель плотности мощности. Это поистине инновационные возможности, способные обеспечивать высокую надежность в течение всего срока службы.
MOSFET транзисторы Infineon CoolSiC рассчитаны на рабочие напряжения от 400 В до 2000 В. Они предназначены для использования в таких устройствах, как инверторы солнечных и ветряных электростанций, в зарядных устройствах для аккумуляторов, в системах сохранения энергии, в приводах для электродвигателей, в резервных источниках электропитания и ИБП.
Преимущества
