Модули Infineon IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) обеспечивают одновременно и минимальные потери мощности, и быстрое переключение. Сочетая возможности биполярных и полевых (МОП) транзисторов, они находят самое широкое применение в силовом оборудовании как индивидуально, так и в составе мощных модулей Infineon. Мощные силовые транзисторы и модули IGBT от Infineon могут выдерживать напряжение до 6,5 кВ, при частоте переключения от 2 кГц до 50 кГц.

.Модуль Infineon FZ1200R12HP4 и 1200 В IHM B 130 мм с двумя отдельно подключаемыми к нагрузке транзисторами IGBT с общим управлением. Технология TRENCHSTOP™ IGBT 4 — лучшее решение для промышленного оборудования.

Модуль Infineon FF1400R12IP4 – полумостовой модуль с двумя транзисторами IGBT с технологий TRENCHSTOP™ IGBT4, с 2 диодами между коллектором и эмиттером.

Модули IGBT компании Infineon имеют универсально предназначение. Их часто используют в электронном оборудовании автомобилей и транспортно-погрузочных механизмов. Портфолио автомобильных IGBT компании Infineon с сертификацией AEC-Q101 включает семейства HybridPACK™ и EasyPACK™. Они обеспечивают высокую надежность и превосходную эффективность применения в широком спектре нагрузок при использовании в бортовом оборудовании электромобилей, обычных и гибридных моделей.

Типичные применения

Автомобильные высоковольтные системы электронного зажигания и зарядки аккумулятора
Стационарные системы хранения энергии
Привод двигателей станочного оборудования — изменение частоты и напряжения управления двигателем
Солнечные электрические системы

Надежные и эффективные модули IGBT Infineon обеспечивают максимальную гибкость и масштабируемость применения при проектирования устройств всех классов мощности.

Они обеспечивают очень низкие потери мощности в открытом и закрытом состоянии транзисторов, обеспечивая минимальные потери мощности.